삼성전자, 200단 이상 8세대 V낸드 양산...“서버·자동차 시장 공략” > it

삼성전자가 양산을 시작한 8세대 V낸드. 데이터를 저장하는 셀을 230단 이상 높게 쌓아올린 제품이다. 삼성전자 제공.

삼성전자, 200단 이상 8세대 V낸드 양산...“서버·자동차 시장 공략”

낸드플래시 메모리 업체들이 셀(데이터를 저장하는 공간)을 230단 이상 쌓아 올리는 적층 경쟁을 벌이는 가운데, 업계 1위 삼성전자가 230단 이상 낸드플래시 제품의 양산에 들어갔다.

삼성전자는 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. V낸드는 셀을 수직으로 쌓아 올린 뒤 이를 관통하는 구멍을 뚫어 각층을 연결한 제품으로, 삼성전자가 2013년 세계 최초로 개발했다. 평면에서는 집적 가능한 셀의 수가 한계에 부딪히자, 셀을 위로 쌓아서 집적도를 높여서 용량의 한계를 극복한 방식이다.

업계에선 누가 얼마나 높게 적층하는지를 두고 경쟁 중이다. 낸드 1위 삼성전자를 따라잡기 위해 지난 7월 미국 마이크론이 세계 최초로 200단 이상(232단) 낸드 양산을 시작했고, SK하이닉스도 지난 8월 업계 최고층인 238단 낸드 개발에 성공했다고 밝혔다. 중국 국영 메모리 회사인 YMTC도 232단 낸드를 개발한 것으로 전해졌다. 이날 삼성전자가 양산을 발표한 8세대 V낸드 역시 230단 이상 제품으로 알려졌다.

그동안 삼성전자는 후발주자들이 230단 이상 낸드를 먼저 출시한 것에 대해 “높이 쌓는 것보다 시장에서 요구하는 용량과 스펙(사양) 등에 맞춰 원가경쟁력을 갖춘 제품을 내놓는 것이 더 중요하다”는 입장을 보여왔다.

낸드의 단수가 높아질수록 비틀림 현상이 발생하고 셀간 간섭현상이 심해진다. 이 때문에 적층 경쟁에서는 단순히 높이 자체보다는 어떤 기업이 안정적으로 셀을 쌓는 기술을 보유했느냐가 관건이다.

업계에서는 셀을 적층한 뒤 한 번에 구멍을 뚫어 연결하는 ‘싱글스택’ 방식과, 싱글스택 2개를 수직으로 연결해 단수를 높이는 ‘더블스택’ 방식을 사용한다. 더블스택은 싱글스택에 비해 기술적 난도가 낮은 대신 전송 속도가 느리고 수율은 떨어진다. 원가경쟁력도 싱글스택이 더 높다. 경쟁사들이 72단부터 더블스택을 도입한 것과 달리, 삼성전자가 128단(6세대 V낸드)까지 싱글스택을 적용한 것도 이런 이유에서다.

특히 삼성전자의 이번 8세대 V낸드의 용량은 업계 최고 수준인 1테라비트(Tb)다. 또 최신 낸드플래시 인터페이스 규격인 ‘Toggle(토글) DDR 5.0’이 적용돼 최대 2.4기가비피에스(Gb㎰)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다.

삼성전자는 “8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획”이라고 밝혔다.



한편 삼성전자는 지난달 초 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크 데이’에서 2024년에 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 이상 적층한 V낸드를 개발하겠다는 목표를 밝힌 바 있다